制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STGW80H65DFB-4

一般信息

数据列表       STGW80H65DFB-4;

标准包装     30

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

系列       -

规格

IGBT 类型     沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）  650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）   120A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)   240A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）      2V @ 15V，80A

功率 - 最大值     469W

开关能量       2.1mJ（开），1.5mJ（关）

输入类型       标准

栅极电荷       414nC

25°C 时 Td（开/关）值     84ns/280ns

反向恢复时间 (trr)       85ns

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

封装/外壳      TO-247-4

供应商器件封装    TO-247-4L

公司简介：
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