制造商      

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号        

SSM3J120TU,LF

一般信息

数据列表   Mosfets Prod Guide;

SSM3J120TU;

标准包装          3,000

包装         标准卷带 

零件状态   有源

类别分立半导体产品

产品族       晶体管 - FET，MOSFET- 单个

系列 U-MOSIV

其它名称   SSM3J120TU (T5L,T)

SSM3J120TU(T5L,T)

SSM3J120TU(T5LT)TR

SSM3J120TU(T5LT)TR-ND

SSM3J120TU(TE85L)TR

SSM3J120TU(TE85L)TR-ND

SSM3J120TU,LF(B

SSM3J120TU,LF(T

SSM3J120TULFTR

SSM3J120TUT5LT

规格

FET 类型   P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）     20V

25°C 时电流- 连续漏极 (Id)    4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）         38 毫欧 @ 3A，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）      22.3nC@ 4V

Vgs（最大值）  ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）     1484pF@ 10V

FET 功能   -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

工作温度   150°C（TJ）

安装类型   表面贴装型

供应商器件封装         UFM

封装/外壳 3-SMD，扁平引线

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！