制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRF6715MTRPBF

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  34A（Ta），180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）   1.6毫欧 @ 34A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.4V@ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）    59nC @ 4.5V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）    5340pF @ 13V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    2.8W（Ta），78W（Tc）

工作温度       -40°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    DIRECTFET™MX

封装/外壳      DirectFET™ 等容 MX

公司简介：

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