制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPT012N06NATMA1

包装卷带（TR）

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.2 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.3V @ 143µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）124 nC @ 10 V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）9750 pF @ 30 V

FET 功能-

功率耗散（最大值）214W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-HSOF-8-1

封装/外壳8-PowerSFN