制造商   

ONSemiconductor

制造商零件编号   

FDA59N25

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  59A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）   49毫欧 @ 29.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V@ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）    82nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）    4020pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    392W（Tc）

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-3PN

封装/外壳      TO-3P-3，SC-65-3

公司信息：

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