
| 型号(PratNumber) | BSC0909NSATMA1 |
| 数量(QTY.) | 7000 |
| 厂家(Brand) | Infineon |
| 封装(Package) | 8-PowerTDFN |
| 批号(DC.) | 2020+ |
| 联系人(contact) | Anne王小姐 |
| 电话(contact) | 0755-23206614 |
| PDF(PDF.) |
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| 询价(Inquire) |
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSC0909NSATMA1
一般信息
数据列表 BSC0909NS;
标准包装 5,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 OptiMOS™
其它名称 BSC0909NS
BSC0909NSATMA1TR
BSC0909NSTR
BSC0909NSTR-ND
SP000832576
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 34V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC@ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1110pF@ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),27W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-5
封装/外壳 8-PowerTDFN
公司简介:
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| 型号(PartNumber) | 数量(QTY.) | 厂家(Brand) | 封装(Package) | 批号(DC.) | 描述(Description) | |
| MAX303CPE+ | 3900 | Analog | 16-PDIP | 2025 | 制造商Analog Devices Inc./Maxim Integrated制造商产品编号MAX3 |
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| MAX4641EUA+ | 6400 | Analog | 8-uMAX/uSOP | 2025 | 制造商Analog Devices Inc./Maxim Integrated制造商产品编号MAX4 |
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| MAX392CUE+ | 6400 | Analog | 16-TSSOP | 2025 | 制造商Analog Devices Inc./Maxim Integrated制造商产品编号MAX3 |
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| MAX382CWN+ | 6400 | Analog | 18-SOIC | 2025 | 制造商Analog Devices Inc./Maxim Integrated制造商产品编号MAX3 |
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| MAX382EWN+ | 5400 | Analog | 18-SOIC | 2025 | 制造商Analog Devices Inc./Maxim Integrated制造商产品编号MAX3 |
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| TPS2060DRBT | 5500 | Texas | 8-VDFN | 2025 | 制造商Texas Instruments制造商产品编号TPS2060DRBT描述IC PWR SWI |
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