

| 型号: | MJD112-1G |
| 厂 商: | |
| 品牌/商标: | onsemi |
| 产品类别: | onsemi- |
| 联系人: | Anne王小姐 |
| 电话: | 0755-23206614 |
制造商
onsemi
制造商产品编号
MJD112-1G
包装管件
零件状态在售
晶体管类型NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)3V @ 40mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 2A,3V
功率 - 最大值1.75 W
频率 - 跃迁25MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装I-PAK