产品详情

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SI2304BDS-T1-E3

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）70 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4 nC @ 5 V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）225 pF @ 15 V

FET 功能-

功率耗散（最大值）750mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3