产品详情

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPA60R180P7SXKSA1

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）180 毫欧 @ 5.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 280µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）25 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1081 pF @ 400 V

FET 功能-

功率耗散（大值）26W（Tc）

工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装PG-TO220-FP

封装/外壳TO-220-3 整包