产品详情

分立半导体产品    ON    2N7002LT1G

制造商ON Semiconductor

制造商产品编号2N7002LT1G

分立半导体产品    ON    2N7002LT1G

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)115mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA

Vgs（最大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（最大值）225mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

漏源电压（Vdss）60 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）50 pF @ 25 V

基本产品编号2N7002

分立半导体产品    ON    2N7002LT1G

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