产品详情

制造商

Texas Instruments

制造商产品编号

TPS1100DR

包装卷带（TR）

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 RdsOn）2.7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1.5V @ 250μA

Vgs（大值）+2V，-15V

FET 功能-

功率耗散（大值）791mW（Ta）

工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）

漏源电压（Vdss）15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）5.45nC @ 10V

公司简介：

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！