产品详情

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商产品编号

TPCF8102(TE85L,F,M

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 RdsOn）1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）30 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1.2V @ 200μA

Vgs（大值）±8V

FET 功能-

功率耗散（大值）700mW（Ta）

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装VS-8（2.9x1.5）

封装/外壳8-SMD，扁平引线

漏源电压（Vdss）20V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）19nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1550pF @ 10V

公司简介：

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！