产品详情

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NVD5863NLT4G

一般信息

数据列表       NVD5863NL;

标准包装     2,500

包装      标准卷带 

零件状态       停產

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       -

其它名称       NVD5863NLT4G-ND

NVD5863NLT4G-VF01

NVD5863NLT4G-VF01TR

NVD5863NLT4G-VF01TR-ND

NVD5863NLT4GOSTR

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    14.9A（Ta），82A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      7.1mOhm @ 41A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    70nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  3850pF @ 25V

FET 功能       -

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    DPAK

公司简介：
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