产品详情

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDC6506P

一般信息

数据列表       FDC6506P;

标准包装     3,000

包装      标准卷带 

零件状态       最後搶購

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列       PowerTrench®

其它名称       FDC6506PTR

规格

FET 类型       2 个 P 沟道（双）

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      170 毫欧 @ 1.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    3.5nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  190pF @ 15V

功率 - 最大值     700mW

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装    SuperSOT™-6

公司简介：
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