产品详情

制造商      

ON Semiconductor

制造商零件编号        

BSS63LT1G

一般信息

数据列表   BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G;

标准包装          3,000

包装         标准卷带 

零件状态   有源

类别分立半导体产品

产品族       晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

系列 -

其它名称   BSS63LT1G-ND

BSS63LT1GOSTR

规格

晶体管类型        PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）   100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）  100V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）  250mV @ 2.5mA，25mA

电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）        30 @ 25mA，1V

功率 - 最大值  225mW

频率 - 跃迁      95MHz

工作温度   -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型   表面贴装型

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装         SOT-23-3（TO-236）

公司简介：
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