

| 型号: | FDN360P |
| 厂 商: | |
| 品牌/商标: | ON Semiconductor |
| 产品类别: | ON- |
| 联系人: | Anne王小姐 |
| 电话: | 0755-23206614 |
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDN360P
一般信息
数据列表 FDN360P;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 PowerTrench®
其它名称 FDN360PF095
FDN360PTR
FDN360P_F095
FDN360P_F095TR
FDN360P_F095TR-ND
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 298pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
公司简介:
深圳贸泽公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦。 深圳贸泽为了更好的服务于客户,提供一站式配套服务!欢迎垂询~

