产品详情

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRF640NSTRLPBF

一般信息

数据列表       IRF640N(S,L)PbF;

标准包装     800

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRF640NSTRLPBF-ND

IRF640NSTRLPBFTR

SP001561810

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      150 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    67nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  1160pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    150W（Tc）

工作温度       -55°C~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D2PAK

封装/外壳      TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

公司简介：

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