型号: | SI4666DY-T1-GE3 |
厂 商: | |
品牌/商标: | Vishay |
产品类别: | Vishay Siliconix- |
联系人: | Anne王小姐 |
电话: | 0755-23206614 |
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4666DY-T1-GE3
一般信息
数据列表 SI4666DY;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 TrenchFET®
其它名称 SI4666DY-T1-GE3TR
SI4666DYT1GE3
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1145pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),5W(Tc)
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽
公司简介:
深圳贸泽公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦。 深圳贸泽为了更好的服务于客户,提供一站式配套服务!欢迎垂询~