

| 型号: | DMN601K-7 |
| 厂 商: | |
| 品牌/商标: | Diodes |
| 产品类别: | Diodes- |
| 联系人: | Anne王小姐 |
| 电话: | 0755-23206614 |
制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMN601K-7
一般信息
数据列表 DMN601K;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 DMN601K-7-F
DMN601K-FDITR
DMN601K-FDITR-ND
DMN601K-FTR
DMN601K-FTR-ND
DMN601K7
DMN601KDITR
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -65°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
公司简介:
深圳贸泽公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦。 深圳贸泽为了更好的服务于客户,提供一站式配套服务!欢迎垂询~

