产品详情

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NSS12200LT1G

一般信息

数据列表       NSS12200LT1G;

标准包装     3,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

系列       -

其它名称       NSS12200LT1G-ND

NSS12200LT1GOSTR

规格

晶体管类型    PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）   2A

电压 - 集射极击穿（最大值）  12V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）       180mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）   250 @ 500mA，2V

功率 - 最大值     460mW

频率 - 跃迁  100MHz

工作温度       -55°C~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装    SOT-23-3（TO-236）

公司简介：

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