制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMG4710SSS-13
包装卷带（TR）
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）12.5 毫欧 @ 11.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1849 pF @ 15 V
FET 功能肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）1.54W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
