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公司动态 / News

晶体管 - FET,MOSFET - 单个 RHU002N06FRAT106

2022/1/15 17:32:30 RHU002N06FRAT106

制造商

Rohm Semiconductor

制造商产品编号

RHU002N06FRAT106

 

包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.4 欧姆 @ 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.4 nC @ 10 V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15 pF @ 10 V

FET 功能-

功率耗散(最大值)200mW(Ta)

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装UMT3

封装/外壳SC-70,SOT-323


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