制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPD70N03S4L04ATMA1
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.3 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3300 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）68W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3-11
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
