制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMTH6016LFVWQ-7
包装卷带（TR）
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)41A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 RdsOn）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）16 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）15.1 nC @ 10 V
Vgs（大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）939 pF @ 30 V
FET 功能-
功率耗散（大值）1.17W（Ta）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装PowerDI3333-8（SWP）UX 类
封装/外壳8-PowerVDFN
公司简介：
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