分立半导体产品 Microchip Technology NCS1-332+
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
APTMC120HM17CT3AG
供应商
Microchip Technology
描述
POWER MODULE - SIC MOSFET
分立半导体产品 Microchip Technology NCS1-332+
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
4 个 N 通道
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
147A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 100A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 30mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
332nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5576pF @ 1000V
功率 - 最大值
750W
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP3
基本产品编号
APTMC120
分立半导体产品 Microchip Technology NCS1-332+
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