分立半导体产品 TK10A60D Toshiba Semiconductor and Storage
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
TK10A60D(STA4,Q,M)
供应商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
分立半导体产品 TK10A60D Toshiba Semiconductor and Storage
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
π-MOSVII
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3 整包
漏源电压（Vdss）
600 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 25 V
基本产品编号
TL1L4
分立半导体产品 TK10A60D Toshiba Semiconductor and Storage
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