分立半导体产品 STMicroelectronics STP22NM60N
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STP22NM60N
供应商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
分立半导体产品 STMicroelectronics STP22NM60N
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
220 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压(Vdss)
600 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
44 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 50 V
基本产品编号
STP22
分立半导体产品 STMicroelectronics STP22NM60N
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