分立半导体产品 STMicroelectronics STGP19NC60KD
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STGP19NC60KD
供应商
STMicroelectronics
描述
IGBT 600V 35A 125W TO220
分立半导体产品 STMicroelectronics STGP19NC60KD
制造商
STMicroelectronics
系列
PowerMESH™
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.75V @ 15V，12A
开关能量
165μJ（开），255μJ（关）
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/105ns
测试条件
480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
75 A
功率 - 最大值
125 W
栅极电荷
55 nC
反向恢复时间 (trr)
31 ns
基本产品编号
STGP19
分立半导体产品 STMicroelectronics STGP19NC60KD
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