分立半导体产品 STD10NM60N STMicroelectronics
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STD10NM60N
供应商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
分立半导体产品 STD10NM60N STMicroelectronics
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
Vgs（最大值）
±25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
漏源电压（Vdss）
600 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540 pF @ 50 V
基本产品编号
STD10
分立半导体产品 STD10NM60N STMicroelectronics
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