分立半导体产品 BUZ80A Infineon Technologies
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
BUZ80A
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
分立半导体产品 BUZ80A Infineon Technologies
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
800 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 25 V
分立半导体产品 BUZ80A Infineon Technologies
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