分立半导体产品 STMicroelectronics STW26NM60N
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STW26NM60N
供应商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
分立半导体产品 STMicroelectronics STW26NM60N
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW26
分立半导体产品 STMicroelectronics STW26NM60N
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