分立半导体产品 Vishay Siliconix SI4162DY-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SI4162DY-T1-GE3
供应商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
分立半导体产品 Vishay Siliconix SI4162DY-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss）
30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1155 pF @ 15 V
基本产品编号
SI4162
分立半导体产品 Vishay Siliconix SI4162DY-T1-GE3
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