STMicroelectronics IRF640 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
IRF640
供应商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
STMicroelectronics IRF640 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
系列
MESH OVERLAY™
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
200 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1560 pF @ 25 V
基本产品编号
IRF6
STMicroelectronics IRF640 分立半导体产品
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