分立半导体产品 Infineon Technologies IRLML6346TRPBF
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRLML6346TRPBF
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
分立半导体产品 Infineon Technologies IRLML6346TRPBF
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10μA
Vgs（最大值）
±12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源电压（Vdss）
30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 24 V
基本产品编号
IRLML6346
分立半导体产品 Infineon Technologies IRLML6346TRPBF
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