制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
TPCA8008-H(TE12L,Q
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）580 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.6W（Ta），45W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳8-PowerVDFN
漏源电压（Vdss）250V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）10nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）600pF @ 10V
公司简介：
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