制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF7105TRPBF
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A，2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 27nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 330pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
公司简介：
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