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公司动态 / News

DMG6601LVT-7

2020/11/10 15:57:14 DMG6601LVT-7

制造商   

Diodes Incorporated

制造商零件编号   

DMG6601LVT-7

 

FET 类型       N 和 P 沟道

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压(Vdss)       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    3.8A,2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      55 毫欧 @ 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    12.3nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  422pF @ 15V

功率 - 最大值     850mW

工作温度       -55°C~ 150°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装    TSOT-26

 

公司简介:

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!

 

 


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