制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMG6601LVT-7
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 55 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 422pF @ 15V
功率 - 最大值 850mW
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 TSOT-26
公司简介：
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