制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF3415PBF
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 42 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
公司简介:
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