制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF3415PBF
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 42 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 200nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
公司简介：
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