制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
MGSF1N03LT1G
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 1.2A，10V
不同Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 140pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 420mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
公司简介：
深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商，服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家知名品牌，可订购500多万种在线产品，为客户提供一站式采购平台，欢迎垂询！
