制造商
InfineonTechnologies
制造商零件编号
IPB60R125CPATMA1
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极(Id) 25A（Tc）
驱动电压（最大 RdsOn，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70nC@ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2500pF@ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 208W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
公司简介：
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