制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
MMBF170-7-F
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 40pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
公司简介：
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