制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
TPCP8J01(TE85L,F,M
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 32V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 35 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1760pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.14W（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PS-8
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
公司简介：
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