制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NTMD2C02R2G
FET 类型 N和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极(Id) 5.2A，3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20nC@ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1100pF@ 10V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
公司简介：
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