制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMG8822UTS-13
FET 类型 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.9A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 841pF @ 10V
功率 - 最大值 870mW
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装 8-TSSOP
公司简介：
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