制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
TPC6104(TE85L,F,M)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 200μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 19nC @ 5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1430pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 700mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 VS-6（2.9x2.8）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
公司简介：
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