制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
TK100S04N1L,LXHQ
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 500μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 76nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5490pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 180W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK+
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
公司简介：
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