制造商
Texas Instruments
制造商零件编号
CSD16409Q3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.2 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 800pF @ 12.5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.6W（Ta）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSONP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN
公司简介：
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