制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IKD04N60RATMA1
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 12A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值 75W
开关能量 90μJ（开），150μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 27nC
25°C 时 Td（开/关）值 14ns/146ns
测试条件 400V，4A，43 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr) 43ns
工作温度 -40°C~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
公司简介：
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