制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
2SK4065-DL-E
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 12200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.65W（Ta），90W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SMP-FD
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
公司简介：
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