制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
SPB80N06S2-09
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 125μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 80nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3140pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
公司简介：
贸泽（深圳）实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，降低运营成本。目前主要经营：TI（德州仪器）、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体）、等等。
